半導(dǎo)體封裝清洗機(jī)濕法清洗技術(shù)的工作原理
導(dǎo)讀
濕法清洗技術(shù)通過(guò)精準(zhǔn)的化學(xué)配方與物理工藝協(xié)同,確保半導(dǎo)體封裝表面達(dá)到亞微米級(jí)潔凈度,是先進(jìn)封裝(如 Chiplet、CoWoS)的關(guān)鍵支撐工藝。
半導(dǎo)體封裝清洗機(jī)的濕法清洗技術(shù)通過(guò)化學(xué)溶液與物理作用的協(xié)同效應(yīng)實(shí)現(xiàn)污染物去除,其核心原理如下:
一、基本原理
1. 化學(xué)反應(yīng)
- 溶解作用:利用酸(如HF)、堿(如NH?OH)或溶劑(如IPA)與污染物(如氧化物、有機(jī)物、金屬離子)發(fā)生中和、氧化還原或絡(luò)合反應(yīng),將其轉(zhuǎn)化為可溶性物質(zhì)。
- 氧化作用:雙氧水(H?O?)等氧化劑分解有機(jī)物,或通過(guò)臭氧(O?)增強(qiáng)清洗液的氧化能力。
2. 物理作用
- 機(jī)械沖刷:高壓噴淋、旋轉(zhuǎn)離心或毛刷摩擦去除顆粒污染物。
- 擴(kuò)散與吸附:溶液滲透至污染物與晶圓界面,降低其附著力,促進(jìn)脫離。
二、典型技術(shù)類(lèi)型
1. DIW(去離子水)清洗
- 原理:通過(guò)去離子水的高純度特性沖洗表面顆粒,或混入CO?/NH?增強(qiáng)導(dǎo)電性以減少靜電吸附。
- 應(yīng)用:去除殘留藥液或輕微顆粒污染。
2. HF(氫氟酸)清洗
- 原理:溶解硅表面自然氧化層(SiO?),同時(shí)去除附著的金屬離子。
- 改進(jìn)技術(shù):稀釋HF濃度、添加氧化劑(抑制金屬再沉積)或陰離子表面活性劑(減少顆粒吸附)。
3. SC1清洗(RCA標(biāo)準(zhǔn))
- 配方:NH?OH + H?O? + DIW(體積比1:1:5~1:2:7)。
- 作用:
- 有機(jī)物去除:H?O?氧化有機(jī)物,NH?OH促進(jìn)溶解。
- 金屬離子去除:氧化高價(jià)金屬離子并形成絡(luò)合物。
- 顆粒去除:溶液堿性環(huán)境增強(qiáng)顆粒與晶圓表面的排斥力。
4. 稀釋化學(xué)法
- 原理:降低傳統(tǒng)RCA溶液濃度,減少藥液消耗,同時(shí)通過(guò)多次循環(huán)或超聲強(qiáng)化清洗效果。
三、關(guān)鍵設(shè)備設(shè)計(jì)
1. PFA管接頭
- 功能:輸送腐蝕性藥液(如HF),確保系統(tǒng)密封性,避免污染。
- 材料優(yōu)勢(shì):耐化學(xué)腐蝕、耐高溫(≤260℃)、低摩擦系數(shù)減少藥液掛壁。
2. 清洗腔體
- 單片式:旋轉(zhuǎn)噴淋設(shè)計(jì),提升均勻性,適用于高精度需求。
- 槽式:批量處理多片晶圓,效率高但需控制交叉污染風(fēng)險(xiǎn)。
四、清洗流程
1. 藥液注入:通過(guò)PFA管道輸送化學(xué)溶液至腔體,覆蓋晶圓表面。 2. **反應(yīng)與溶解**:溶液與污染物反應(yīng),生成可溶性物質(zhì)。
2. DIW沖洗:徹底去除殘留藥液及溶解物。
3. 干燥:采用熱風(fēng)、旋轉(zhuǎn)離心或IPA蒸汽干燥,避免水漬殘留。
五、優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn) | 缺點(diǎn) |
對(duì)復(fù)雜污染物(如金屬、有機(jī)物)去除能力強(qiáng)。 | 可能引入化學(xué)殘留,需嚴(yán)格控制沖洗步驟。 |
設(shè)備成本相對(duì)干法清洗較低。 | 廢液處理成本高,環(huán)保壓力大。 |
適用于多種封裝結(jié)構(gòu)(如3D SiP)。 | 高溫或高壓工藝可能損傷脆弱器件。 |
六、行業(yè)趨勢(shì)
- 技術(shù)升級(jí):結(jié)合兆聲波或刷洗技術(shù),提升微小顆粒(≤0.1μm)去除效率。
- 環(huán)保優(yōu)化:開(kāi)發(fā)低濃度藥液、循環(huán)利用系統(tǒng),減少化學(xué) waste。
- 智能化:通過(guò)傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)控藥液濃度、溫度,動(dòng)態(tài)調(diào)整工藝參數(shù)。 濕法清洗技術(shù)通過(guò)精準(zhǔn)的化學(xué)配方與物理工藝協(xié)同,確保半導(dǎo)體封裝表面達(dá)到亞微米級(jí)潔凈度,是先進(jìn)封裝(如Chiplet、CoWoS)的關(guān)鍵支撐工藝。